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材料物理

章天金

姓 名:章天金

职 称:教授

出生年月:1965.10

E-mail:zhangtj@hubu.edu.cn

学习工作经历

教育经历

1996, 9-2000, 3华中科技大学电子系微电子与固体电子学专业学习,获博士学位

1993,9-1996,6 华中科技大学物理系材料物理专业学习,获硕士学位

1983,9-1987,6 小太阳网登录注册物理学与电子技术学院学习,获学士学位

主要科研经历

2006,9-至今 小太阳网登录注册小太阳网登录教授/博士生导师,湖北省政府专项津贴获得者,小太阳网登录注册材料物理与化学省级重点学科负责人,先后任小太阳网登录注册科技处处长、教务处处长

2005,7-2006,8 赴英国Leeds大学材料研究所访问学者

2003,1-2005,6小太阳网登录注册物理学与电子技术学院教授/副院长

2000,1-2002,12小太阳网登录注册物理学与电子技术学院副教授

1993,1-1999,12 小太阳网登录注册压电陶瓷研究所讲师

1987,7-1992,12 小太阳网登录注册压电陶瓷研究所助教

研究方向

铁电多铁材料与器件

太阳能电池材料

微波介质陶瓷与器件

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承担的主要项目

先后承担了国家自然科学基金、湖北省、教育部等各级科研项目20余项,主要有:

(1)CTLA微波介质陶瓷性能优化与微结构调控机理研究(11774083),国家自然科学基金,2018.01-2021.12, 63万元

(2)具有量子阱结构多铁隧道结的自旋输运机理与存储特性研究(51372074),国家自然科学基金,80万元, 2014.01-2017.12

(3)光伏产业技术协同创新平台,湖北省经信委,200万元,2013.01-2015.12

(4)多尺寸复合量子点共敏化TiO2纳米管阵列表面与界面电输运机理研究(11174071),国家自然科学基金,2012.01-2015.12, 65万元

(5)铁电隧道结阵列的研制及其输运机理研究(50972040),国家自然科学基金,37万元,2010.01-2012.12

(6)稀土掺杂铁电薄膜的上转换效率及其发光机理研究(50672022),国家自然科学基金,30万元,2007.01- 2009.12

(7)红外探测器阵列中组分梯度薄膜铁电薄膜的界面特性研究(50372017),国家自然科学基金,26万元,2004.01- 2006.12

(8)室温型热释电红外探测器阵列界面结构及特性研究(2008CDA001),湖北省自然科学基金创新群体项目,20万元,2008.01-2010.12

(9)组分梯度铁电薄膜的界面特性与热释电特性研究(2004ABA094),湖北省自然科学基金,3万元,2004.01-2005.12

代表性论文

(1)YingLiu, YajunQi, PengZhou, ChangxinGuan, HaoChen, JinzhaoWang, ZhijunMa andTianjin Zhang*,Mechanisms of resistive switching inBiFeO3thin films modulated bybottomelectrode,J. Phys. D: Appl. Phys.2018, 51: 025303.

(2)Zhonghui Yu, Boyuan Yu, Ying Liu, Peng Zhou, Juan Jiang, Kun Liang, Yuxi Lu, Hui Sun, Xiaobing Chen, Zhijun Ma,Tianjin Zhang, Chuanwei Huang, Yajun Qi, Enhancement of multiferroic properties of Aurivillius Bi5Ti3FeO15ceramics by Co doping,Ceram. Int.2017, 43: 14996-15001.

(3)Peng Zhou, Chao Yang, Junyu Li, Xiangli Liu, Zhiheng Mei, Ang Ye, Kun Liang, Zhijun Ma, Yajun Qi, Xiaofei Yang, andTianjin Zhang*, Giant magnetoelectric coefficient of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/La0.67Sr0.33MnO3thin film grown on 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–0.3PbTiO3single crystal assisted by metglas,Appl. Phys. Express, 2017, 10: 023201.

(4)Z J Ma, G Chen, P Zhou, Z H Mei andT J Zhang*,Ferroelectric tunneling under bias voltages,J. Phys. D: Appl. Phys.2017, 50: 015303.

(5)K. Liang, P. Zhou, Z. J. Ma, Y. J. Qi, Z. H. Mei,T. J. Zhang*, Multiferroic magnetoelectric coupling effect of bilayer La1.2Sr1.8Mn2O7/PbZr0.3Ti0.7O3complex thin film,Phys. Lett. A2017, 381:1504-1509.

(6)Yizhong Guo,Ying Liu,Yajun Qi,Jinzhao Wang,Kun Liang,TianjinZhang, Microstructure and temperature stability of highly strained tetragonal-like BiFeO3thin films,Appl. Sur. Sci.2017, 425: 117-120.

(7)Geng Chen, Zhijun Ma, Peng Zhou, Zhiheng Mei, Kun Liang, andTianjin Zhang*, Four-state memory based on ferroelectric tunnel junctions with double ferroelectric layers,Phys. Status Solidi A2017, 1700048

(8)Peng Zhou, Yajun Qi, Chao Yang, Zhiheng Mei, Ang Ye, Kun Liang, ZhijunMa, Zhengcai Xia, andTianjin Zhang*, Magnetic anisotropy of epitaxial La2/3Sr1/3MnO3thin films on SrTiO3with different orientations,AIP Advances2016, 6:125044.

(9)Zhijun Ma, Peng Zhou,Tianjin Zhang*, Kun Liang, and Paul K Chu, Resonance-enhanced electroresistance-magnetoresistance effects in multiferroic tunnel junctions,Mater. Res. Express, 2015, 2: 046303.

(10)Zhijun Ma,TianjinZhang*, Kun Liang, Yajun Qi, Duofa Wang, Jinzhao Wang, and Juan Jiang, Ferroelectric tunnel junctions with multi-quantum well structures,Appl. Phys. Lett.2014, 104: 222904.

(11)Z. J. Ma,T. J. Zhang*, R. K. Pan, M. G. Duan, M. He, Optimal dielectric thickness for ferroelectric tunnel junctions with a composite barrier,J. Appl. Phys.2012, 111: 074311–074314.

(12)R.K. Pan,T.J. Zhang*, J.Z. Wang, Z.J. Ma, J.Y. Wang, D.F. Wang, Rectifying Behavior and Transport Mechanisms of Currents in Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3Structure,J. Alloy. Compd.2012, 519:140–143.

(13)Ma Zhijun,Zhang Tianjin*,Pan Ruikun,Liang Kun,Wang Duofa,Wang Jingang,Wang Jinzhao,Jiang Juan,Qi Yajun,Chu Huifang, Tunneling electroresistance effect in Pt/MgO/Pt/PbTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions.Appl. Phys. Lett.2012, 101: 022906.

(14)T. J. Zhang*, R. K. Pan, Z. J. Ma, M. G. Duan, D. F. Wang, M. He, Large rectifying leakage current in Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3/Pt structure,Appl. Phys. Lett.2011, 99: 182106.

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